| 型号： | NTMD6N02R2G | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | ON Semiconductor | 描述： | MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| NTMD6N02R2G PDF |  |
| 产品变化通告 | Wire Change 20/Aug/2008 |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| FET 型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.92A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 35 毫欧 @ 6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1100pF @ 16V |
| 功率 - 最大 | 730mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 标准包装 |
| 其它名称 | NTMD6N02R2GOSDKR |